器件类型静电破坏电压(V) 器件类型 静电破坏电压(V) 

        VMoS 30～1800OP-AMP190～2500 

        M0SFET 100～200JEFT 140～1000 

        GaAsFET 100～300SCL680～1000 

        PROM 100STTL300～2500 

        CMoS250～2000DTL380～7000 

        HMOS50～500肖特基二极管300～3000 

        E／DMOS200～1000双极型晶体管380～7000 

        ECL 300～2500石英压电晶体＜10000 

         

         从上表可见大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏，而在干燥的环境中人活动所产生的静电可达几千伏到几万伏。